SSD WD Blue SN550 NAND, 1TB, M.2 2280

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Produktnummer: 1010277
Produktinformationen "SSD WD Blue SN550 NAND, 1TB, M.2 2280"
Western Digital SSD WD BLUE SN550 M.2 2280 NVMe 1 TB
M.2 2280-Solid State Drive mit 1 TB

    M.2 2280-SSD, 1 TB, M.2 2280 NVMe
    Lesegeschwindigkeit von bis zu 2400 MB/s
    Kompakte Bauweise – Eignet sich ideal für lesitungsfähige Kompakt-PCs
    Hohe Effizienz – Herausragende Performance bei niedriger Leistungsaufnahme
    3D NAND Flashspeicher
Speicherkapazität total: 1 TB, Speicherschnittstelle: M.2 2280, SSD Bauhöhe: 2.38mm, SSD Formfaktor: M.2 2280, Anwendungsbereich SSD: Consumer
Die WD Blue SN550 NVMe SSD eignet sich ideal für leistungsfähige Kompakt-PCs. Geniessen Sie kurze Ladezeiten und geringe Latenzzeiten, zudem eine beeindruckende Übertragungsgeschwindigkeit. Ganz egal ob beruflich, oder für Gamesessions, Sie profitieren so oder so von der fantastischen Schnelligkeit und Performance der SSD. Der Energieverbrauch ist trotz toller Leistung bemerkenswert gering.
Kompakte Grösse

M.2-SSDs werden via dem M.2-Sockel am Mainboard installiert. Bei dieser SSD werden die Daten mit SATA-III übertragen, wodurch die kompakte Grösse zum Hauptvorteil wird. M.2-SSDs eignen sich aufgrund der kompakten Abmessungen besonders für den Einsatz in Ultrabooks und Mini-PCs, können aber auch in normalen Computern verwendet werden.
NVMe-Protokoll für weniger Latenzen

In Systemen mit NVMe-Unterstützung glänzt diese SSD besonders. Sie profitieren von einem hohen Durchsatz, hoher IOPS und einer geringen Latenz. Im Gegensatz zu dem älteren AHCI-Protokoll, das für herkömmliche, sich drehende Laufwerke entwickelt wurde, verhindert NVMe Leistungsabfälle, bietet eine schnellere Übertragung grosser Datenmengen, erhöhte Boot-Geschwindigkeiten und eine verbesserte System-Reaktionszeit.
3D-NAND Flashspeicher

Bei 3D-NAND (auch V-NAND oder 3D V-NAND gennant) stehen die Transistoren vertikal zur Chipfläche und die Flash-Speicherzeillen werden in Schichten übereinander angeordnet. Dadurch erreicht man eine höhere Speicherdichte und reduziert gleichzeitig das Risiko von Interferenzen zwischen den Zellen. Dank der verkürzten Verbindungen zwischen den Zellen steigt die elektrische Leistung, darüber hinaus sinkt in Folge dessen der Stromverbrauch.